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    ST意法半導(dǎo)體 場效應(yīng)管 STF7NM60N

    品牌
    st
    批號
    18+
    封裝
    to-220-3
    數(shù)量
    1800
    制造商
    stmicroelectronics
    產(chǎn)品種類
    mosfet管
    rohs

    技術(shù)
    si
    安裝風(fēng)格
    through hole
    封裝 / 箱體
    to-220-3
    晶體管極性
    n-channel
    通道數(shù)量
    1 channel
    vds-漏源極擊穿電壓
    600 v
    id-連續(xù)漏極電流
    5 a
    rds on-漏源導(dǎo)通電阻
    900 mohms
    vgs - 柵極-源極電壓
    25 v
    vgs th-柵源極閾值電壓
    3 v
    qg-柵極電荷
    12 nc
    工作溫度
    + 150 c
    pd-功率耗散
    20 w
    商標(biāo)名
    mdmesh
    封裝
    tube
    配置
    single
    系列
    stf7nm60n
    晶體管類型
    1 n-channel
    商標(biāo)
    stmicroelectronics
    產(chǎn)品類型
    mosfet
    工廠包裝數(shù)量
    1000
    子類別
    mosfets
    單位重量
    330 mg
    可售賣地
    全國
    類型
    power mosfet
    型號
    stf7nm60n

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